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美佳特科技
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| 品牌 | KEYSIGHT/美国是德 | 价格区间 | 面议 |
|---|---|---|---|
| 产地类别 | 进口 | 应用领域 | 电子/电池 |
Keysight B1505A 曲线追踪仪 销售（Keysight Technologies）推出的功率器件分析仪，专为宽禁带半导体（SiC/GaN）、大功率MOSFET/IGBT等功率电子器件的静态参数测试、动态特性分析和可靠性评估设计。作为业界的一体化测试解决方案，B1505A 整合了高电压源、大电流源、精密测量单元和高速开关，可覆盖从研发到量产的全流程测试需求。
电压/电流范围：
电压：±3kV（DC）或±2kV（脉冲）
电流：±1000A（脉冲，10ms脉宽）
功率：30kW（瞬时脉冲功率）
低导通电阻测量：0.1mΩ（四线开尔文连接）
静态参数：
击穿电压（BVdss）、阈值电压（Vth）
导通电阻（Rds(on)）、漏电流（Idss）
动态参数：
开关损耗（Eon/Eoff）
栅极电荷（Qg）、反向恢复电荷（Qrr）
可靠性测试：
HTGB（高温栅偏）、H3TRB（高湿高反压）
雪崩能量（EAS）测试
双脉冲测试（DPT）：
支持硬件级实时控制（延迟<10ns）
可测高达1000V/200A的开关波形
高精度CVU选件：
电容-电压测试（1kHz~1MHz）
栅极介质层缺陷分析
模块化设计：
主机 + 可插拔测试模块（如B1515A高压模块）
软件生态：
标配EasyEXPERT软件（预置JEDEC测试模板）
支持Python/LabVIEW二次开发
安全保护：
电弧检测、过流/过压保护
互锁机制（符合IEC 61010标准）
SiC MOSFET：高温Rds(on)特性（200°C）
GaN HEMT：动态导通电阻（Current Collapse）
功率二极管：反向恢复时间（trr）
IGBT模块：Vce(sat)与开关损耗权衡优化
超级结MOSFET：栅极电荷（Qg）与FOM分析
功率循环测试（10万次以上）
雪崩耐量验证（Unclamped Inductive Switching）
晶圆级参数测试（Wafer-Level Probing）
终检（Final Test）自动化方案
| 参数 | 规格 |
|---|---|
| 最大直流电压 | ±3kV |
| 最大脉冲电流 | ±1000A（10ms） |
| 导通电阻测量范围 | 0.1mΩ~10kΩ |
| 电容测试频率 | 1kHz~1MHz（选配） |
| 时间分辨率 | 1ns（动态测试） |
| 接口 | LAN/GPIB/USB |
B1505A主机
B1515A高压模块（3kV/20A）
四线制开尔文测试夹具
B1505A-CVU：电容-电压测试单元
B1505A-PWU：高功率脉冲单元（1000A）
B1505A-TRU：高温测试套件（-55°C~+200°C）
| 特性 | B1505A | 传统功率分析仪 |
|---|---|---|
| 测试范围 | 3kV/1000A全覆盖 | 通常<1kV或<100A |
| 动态测试 | 硬件级双脉冲（10ns延迟） | 外接示波器+电源 |
| 集成度 | 静态/动态/可靠性测试一体化 | 多设备拼凑 |
| 标准符合性 | 预置JEDEC/AEC-Q101测试流程 | 手动配置 |
连接DUT：通过低电感夹具接入半桥电路
配置参数：
母线电压：800V
负载电流：50A
执行测试：
自动生成双脉冲波形
捕获Vds/Id开关轨迹
数据分析：
计算Eon/Eoff损耗
评估栅极驱动环路影响
Keysight B1505A 曲线追踪仪 销售凭借其超高功率测试能力、全参数一体化测试和生产级可靠性，成为：
第三代半导体研发的基准工具
功率模块量产测试的高效平台
车规级认证（AEC-Q101）的选择
该产品特别适用于：
功率器件厂商（Wolfspeed/Infineon）
新能源汽车电驱系统开发商
电力电子国家重点实验室
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