美佳特科技
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诚信经营质量保障价格合理服务完善详细介绍
品牌 | KEYSIGHT/美国是德 | 价格区间 | 面议 |
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产地类别 | 进口 | 应用领域 | 电子/电池 |
Keysight B1506A 曲线追踪仪 销售(Keysight Technologies)推出的功率器件分析仪,属于B1500A系列的最新升级型号。该设备专为第三代半导体(SiC/GaN)、高压IGBT模块、功率MOSFET等器件的静态参数测试、动态特性分析和可靠性验证设计,提供业界的6kV高压测试能力和2000A脉冲电流驱动,是功率电子研发与量产测试的解决方案。
超高电压/电流范围:
电压:±6kV(DC)或±3kV(脉冲模式)
电流:±2000A(脉冲,10ms脉宽)
功率:50kW瞬时功率(配合水冷选件)
超低电阻测量:0.01mΩ分辨率(四线开尔文连接)
静态参数:
击穿电压(BVdss)、阈值电压(Vth)
导通电阻(Rds(on))、漏电流(Idss)
动态参数:
双脉冲测试(DPT)开关损耗(Eon/Eoff)
栅极电荷(Qg)、反向恢复时间(trr)
可靠性测试:
高温栅偏(HTGB)、功率循环(10万次+)
雪崩能量(EAS)测试(Unclamped Inductive Switching)
HyperSpeed PWM控制:
硬件级实时控制(延迟<5ns)
支持SiC/GaN器件的超快开关测试(dV/dt >100V/ns)
CVU Pro选件:
宽频电容-电压测试(1kHz~10MHz)
栅极氧化物缺陷分析(QBD/TDDB)
模块化架构:
主机 + 可扩展测试模块(如B1517A 6kV模块)
支持多DUT并行测试(选配)
智能防护:
电弧检测与自动断电
光隔离保护(符合IEC 61010-1安全标准)
软件生态:
标配EasyEXPERT+软件(预置JEDEC/AEC-Q101模板)
支持Python/API自动化控制
SiC MOSFET:高温(250°C)动态导通电阻测试
GaN HEMT:Current Collapse效应分析
功率模块:多芯片并联均流特性
电机控制器功率器件选型验证
车载充电机(OBC)效率优化
光伏逆变器MPPT特性测试
高压直流输电(HVDC)IGBT模块评估
晶圆级参数分选(Wafer Probing)
终检(FT)自动化系统集成
参数 | 规格 |
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最大直流电压 | ±6kV |
最大脉冲电流 | ±2000A(10ms) |
导通电阻测量范围 | 0.01mΩ~10kΩ |
电容测试频率 | 1kHz~10MHz(CVU Pro选件) |
时间分辨率 | 1ns(动态测试) |
系统精度 | ±0.05%读数(电压/电流) |
B1506A主机
B1517A高压模块(6kV/50mA)
低电感测试夹具(支持TO-247/DFN封装)
B1506A-PWU:2000A脉冲驱动单元
B1506A-THERM:高温测试套件(-65°C~+300°C)
B1506A-PAR:多DUT并行测试模块
特性 | B1506A | B1505A |
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电压能力 | 6kV(翻倍) | 3kV |
电流能力 | 2000A脉冲 | 1000A脉冲 |
动态测试 | HyperSpeed PWM(<5ns延迟) | 标准双脉冲(10ns延迟) |
应用场景 | 高压SiC/电网级IGBT | 中低压功率器件 |
安全准备:连接光隔离探头,启动电弧防护
静态测试:
扫描Vds-Id曲线(0~6kV)
测量高温(200°C)下Rds(on)
动态测试:
双脉冲配置:Vds=3.3kV, Id=500A
捕获开关波形(Eon/Eoff损耗分析)
可靠性验证:
执行1000次雪崩能量测试(EAS)
Keysight B1506A凭借其6kV/2000A的极限测试能力和全生命周期分析功能,成为:
超高压功率器件研发的黄金标准
车规级半导体认证的核心工具
电网/能源设备验证的技术
该设备特别适用于:
半导体厂商(Wolfspeed/Infineon/ST)
新能源汽车电驱开发商(特斯拉/比亚迪)
电力电子实验室
对于需要突破传统测试设备极限的用户,B1506AKeysight B1506A 曲线追踪仪 销售提供了覆盖从研发到量产的6kV级解决方案。
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