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Keysight B1506A 曲线追踪仪 销售

简要描述:Keysight B1506A 曲线追踪仪 销售,是一款用于电路设计的综合解决方案,可帮助电力电子电路设计人员选择适合自身应用的功率器件,让其电力电子产品发挥最大价值。 它可以评测器件在不同工作条件下的所有相关参数,包括 IV 参数(击穿电压和导通电阻)、三端 FET 电容、栅极电荷和功率损耗。 用于电路设计的 B1506A 功率器件分析仪/曲线追踪仪具有完整的曲线追踪仪功能以及其他功能。

  • 产品型号:是德 B1506A
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2025-08-13
  • 访  问  量:971

详细介绍

品牌KEYSIGHT/美国是德价格区间面议
产地类别进口应用领域电子/电池

Keysight B1506A 功率器件分析仪详解

1. 产品概述

Keysight B1506A 曲线追踪仪 销售(Keysight Technologies)推出的功率器件分析仪,属于B1500A系列的最新升级型号。该设备专为第三代半导体(SiC/GaN)、高压IGBT模块、功率MOSFET等器件的静态参数测试、动态特性分析和可靠性验证设计,提供业界的6kV高压测试能力2000A脉冲电流驱动,是功率电子研发与量产测试的解决方案。


2. 核心功能与特点

2.1 极限测试能力

  • 超高电压/电流范围

    • 电压:±6kV(DC)或±3kV(脉冲模式)

    • 电流:±2000A(脉冲,10ms脉宽)

    • 功率:50kW瞬时功率(配合水冷选件)

  • 超低电阻测量:0.01mΩ分辨率(四线开尔文连接)

2.2 全参数测试覆盖

  • 静态参数

    • 击穿电压(BVdss)、阈值电压(Vth)

    • 导通电阻(Rds(on))、漏电流(Idss)

  • 动态参数

    • 双脉冲测试(DPT)开关损耗(Eon/Eoff)

    • 栅极电荷(Qg)、反向恢复时间(trr)

  • 可靠性测试

    • 高温栅偏(HTGB)、功率循环(10万次+)

    • 雪崩能量(EAS)测试(Unclamped Inductive Switching)

2.3 创新技术

  • HyperSpeed PWM控制

    • 硬件级实时控制(延迟<5ns)

    • 支持SiC/GaN器件的超快开关测试(dV/dt >100V/ns)

  • CVU Pro选件

    • 宽频电容-电压测试(1kHz~10MHz)

    • 栅极氧化物缺陷分析(QBD/TDDB)

2.4 系统集成与安全

  • 模块化架构

    • 主机 + 可扩展测试模块(如B1517A 6kV模块)

    • 支持多DUT并行测试(选配)

  • 智能防护

    • 电弧检测与自动断电

    • 光隔离保护(符合IEC 61010-1安全标准)

  • 软件生态

    • 标配EasyEXPERT+软件(预置JEDEC/AEC-Q101模板)

    • 支持Python/API自动化控制


3. 典型应用场景

3.1 宽禁带半导体研发

  • SiC MOSFET:高温(250°C)动态导通电阻测试

  • GaN HEMT:Current Collapse效应分析

  • 功率模块:多芯片并联均流特性

3.2 新能源汽车电驱

  • 电机控制器功率器件选型验证

  • 车载充电机(OBC)效率优化

3.3 工业能源设备

  • 光伏逆变器MPPT特性测试

  • 高压直流输电(HVDC)IGBT模块评估

3.4 量产测试

  • 晶圆级参数分选(Wafer Probing)

  • 终检(FT)自动化系统集成


4. 技术规格

参数规格
最大直流电压±6kV
最大脉冲电流±2000A(10ms)
导通电阻测量范围0.01mΩ~10kΩ
电容测试频率1kHz~10MHz(CVU Pro选件)
时间分辨率1ns(动态测试)
系统精度±0.05%读数(电压/电流)

5. 系统配置方案

基础配置

  • B1506A主机

  • B1517A高压模块(6kV/50mA)

  • 低电感测试夹具(支持TO-247/DFN封装)

扩展选件

  • B1506A-PWU:2000A脉冲驱动单元

  • B1506A-THERM:高温测试套件(-65°C~+300°C)

  • B1506A-PAR:多DUT并行测试模块


6. 与B1505A的对比升级

特性B1506AB1505A
电压能力6kV(翻倍)3kV
电流能力2000A脉冲1000A脉冲
动态测试HyperSpeed PWM(<5ns延迟)标准双脉冲(10ns延迟)
应用场景高压SiC/电网级IGBT中低压功率器件

7. 操作示例(6kV SiC MOSFET测试)

  1. 安全准备:连接光隔离探头,启动电弧防护

  2. 静态测试

    • 扫描Vds-Id曲线(0~6kV)

    • 测量高温(200°C)下Rds(on)

  3. 动态测试

    • 双脉冲配置:Vds=3.3kV, Id=500A

    • 捕获开关波形(Eon/Eoff损耗分析)

  4. 可靠性验证

    • 执行1000次雪崩能量测试(EAS)


8. 总结

Keysight B1506A凭借其6kV/2000A的极限测试能力全生命周期分析功能,成为:

  • 超高压功率器件研发的黄金标准

  • 车规级半导体认证的核心工具

  • 电网/能源设备验证的技术

该设备特别适用于:

  • 半导体厂商(Wolfspeed/Infineon/ST)

  • 新能源汽车电驱开发商(特斯拉/比亚迪)

  • 电力电子实验室

对于需要突破传统测试设备极限的用户,B1506AKeysight B1506A 曲线追踪仪 销售提供了覆盖从研发到量产的6kV级解决方案


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