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品牌 | Keithley/美国吉时利 | 产地类别 | 国产 |
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应用领域 | 综合 |
Keithley 4210-CVU(Capacitance Voltage Unit)是吉时利(Keithley)4200-SCS半导体特性分析系统中的专用电容-电压测量模块,专门用于半导体器件和材料的精密电容特性分析。该模块与4200-SMU源测量单元配合使用,可实现对MOS结构、二极管、MEMS器件等的高精度C-V(电容-电压)和C-f(电容-频率)测试。
测量范围:1fF~100nF(最高分辨率达0.1fF)
频率范围:1kHz~10MHz(可编程测试频率)
测试信号电平:5mV~1Vrms(可调交流偏置)
直流偏置范围:±100V(与SMU模块同步)
多频点C-V测试:自动扫描频率分析介电响应
准静态C-V:适用于超薄介质层表征
G-V(电导-电压)测试:同步测量介电损耗
温度依赖C-V(需配合温控系统)
三端测量架构:包含High、Low、Guard端子,有效降低杂散电容影响
自动平衡电桥技术:提高小电容测量精度
数字锁相放大:增强弱信号检测能力(可测1f位移电流)
MOS电容测试:
氧化层厚度提取
界面态密度(Dit)分析
平带电压(Vfb)和掺杂浓度测定
存储器器件表征:
DRAM电容特性
FeRAM铁电材料极化曲线
高k介质材料:介电常数频率依赖性
有机半导体:载流子浓度分布
二维材料:量子电容效应研究
晶圆级介质层质量检测
离子注入剂量验证
主机系统:4200-SCS控制器
必需模块:
4210-CVU电容测试单元
4210-SMU(提供直流偏置)
选配附件:
4200-PA前置放大器(增强微弱信号)
真空探针台(晶圆级测试)
预置测试模板:
高频C-V(1MHz标准测试)
深耗尽C-V(掺杂分析)
时域电容弛豫测试
数据分析工具:
自动提取Cox、Dit等参数
多批次数据对比功能
参数 | 规格 |
---|---|
电容测量范围 | 1fF~100nF |
频率范围 | 1kHz~10MHz |
分辨率 | 0.1fF(典型) |
精度 | ±0.1%读数+0.1fF |
直流偏置范围 | ±100V |
交流测试信号 | 5mV~1Vrms |
温度稳定性 | <5ppm/°C |
相比传统LCR表或独立C-V测试仪,4210-CVU具有:
系统集成优势:与SMU模块实时同步,支持DC+AC联合测试
更高灵敏度:专为半导体纳米结构优化的测量架构
更丰富的分析功能:内置半导体专用参数提取算法
需搭配至少1个4210-SMU模块使用
高频测试(>1MHz)建议选配低损耗测试电缆
超低电容测量(<10fF)需配置屏蔽测试环境
Keithley 4210-CVU代表了当前半导体电容测试专用电容-电压测量模块的工业级标准,其亚飞法级分辨率、宽频测试能力和专业的分析功能,使其成为:
半导体研发实验室的工具
优良制程开发的质量控制设备
新型电子材料研究的理想平台
该设备特别适合需要纳米级精度和复杂工况模拟的测试需求,是器件物理研究和工艺开发领域不可替代的专业测试解决方案。
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